技術・ソリューション-リードディスターバンス管理

リードディスターバンス（読み出し干渉）は、フラッシュメモリに対して大量のデータ読み出しを行った後に発生することが一般的です。これらの読み出し操作は、読み取り領域周辺のセルのビット状態を変化させ、データエラーを引き起こす可能性があります。 リードディスターバンスによって生じたビットエラーは、ブロックを消去することでリセットされます。つまり、リードディスターバンスは効果的な方法で管理することが可能です。 産業用途においては、フラッシュメモリモジュールのデータの正確性と信頼性が非常に重要であるため、リードディスターバンスによる問題は適切に管理される必要があります。

EmBestorは、リードディスターバンス（読み出し干渉）がフラッシュメモリに与える影響を軽減するために、コントロールチップによってフラッシュメモリのエラービット数および読み出し回数を監視し、リードディスターバンス問題を効果的に改善しています。 あるブロック内のエラービット数や読み出し回数が設定された上限に近づくと、データは別のブロックにコピーされ、元のブロックは消去されます。 EmBestorのフラッシュメモリにおけるリードディスターバンス管理技術は、メモリモジュールのデータ整合性と信頼性を大幅に向上させます。