技術・ソリューション-不良ブロック管理
不良ブロック管理
フラッシュメモリモジュールは、多くのブロックで構成されており、良いブロックと悪いブロックに分けられます。
良いブロックはデータの保存に使用でき、正常に読み書きできます。悪いブロックは使用できず、予期しない状況が発生しないようにします。
悪いブロックには2種類があります。1つは「初期不良ブロック」と呼ばれ、もう1つは「後期不良ブロック」と呼ばれます。
初期不良ブロックは、NANDフラッシュメモリの製造時にマークされたものです。
後期不良ブロックは、もともと良いブロックであったが、使用後に欠陥が生じてマークされたものです。
例えば、書き込み中や消去中に障害が発生したり、読み取り中にECC（誤り訂正コード）で修正できないエラーが発生する場合です。
悪いブロック管理技術は、ホストがデータにアクセスしている際に、欠陥のあるブロックを「再配置」して良いブロックに置き換える技術です。つまり、これらの悪いブロックには代替のブロックが存在します。そのため、ホストは全体の論理領域にアクセスしてもエラーが発生しません。製造過程で、初期不良ブロックは予備の良いブロックに再マッピングされます。
後期不良ブロックは、アクセス中に別途処理されます。フラッシュメモリモジュールが使用中に不良ブロックを生成すると、コントローラは予備の良いブロックを探して不良ブロックを置き換えます。予備の良いブロックがすべて使い尽くされると、フラッシュメモリモジュールは強制的に読み取り専用モードに設定されます。